۱-MOSFET قدرت ودیودکلیدهای ایدهال هستند.
۲-ظرفیت خازنی خروجی ترانزیستور، ظرفیت خازنی دیودواندوکتانسهاصفرهستند. بنابراین ازتلفات کلیدزنی چشم پوشی میگردد.
( اینجا فقط تکه ای از متن درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )
۳-اجزای پسیو، خطی، تغییرناپذیر با زمان ومستقل ازفرکانس هستند.
۴-امپدانس خروجی منبع ولتاژ ورودی هم برای مولفههای DC و هم AC صفر است.
۵-مبدل درحالت پایدار کارمیکند.
۶-دوره کلیدزنی fs = 1/ T خیلی کوچکتر از ثابتهای زمانی اجزای راکتیو میباشد.
۱- عملکرد مدار در بازه o ≤ t ≤ Dt
درمدت زمان است ودیود D1 خاموش است. یک مدار ایده ال برای این مدت در شکل ۲ الف نشان داده شده است. وقتی که کلیدبسته است ولتاژروی دیودیعنی VD حدود – V Iمیباشد که موجب با یاس معکوس شدن دیود میشود. ولتاژ روی کلید یعنی VS و جریان دیود صفر هستند. ولتاژ سلفL به صورت زیر است: [۱۰]
(۱-۲)
بنابراین جریان سلف وکلیدبه صورت زیراست:
بنابراین جریان سلف وکلیدبه صورت زیراست:
(۲-۲)
که در آن (iL ۰) جریان اولیه سلف L در زمان ۰t= میباشد.
پیک جریان سلف میشود:
(۳-۲)
و جریان ریپل پیک تاپیک سلف L به صورت زیراست:
(۴-۲)
ولتاژ دیود برابر است با:
(۴-۲)
ولتاژ دیود برابر است با:
(۵-۲)
بنابراین پیک ولتاژ معکوس دیود برابر است با:
(۶-۲)
متوسط جریان سلف برابر با جریان DC خروجی IO میباشد. بنابراین برای مقدار پیک جریان کلید داریم:
(۷-۲)
افزایش در انرژی مغناطیسی ذخیره شده در سلف L در مدت زمان از ۰ تا DT به صورت زیر است:
(۸-۲)
مدتزماناز ۰ تا DT وقتی که کلید توسط راه انداز باز شود پایان مییابد.
۲- عملکردمدار دربازه زمانی DT<t ≤T
در مدت زمان DT < t ≤T، کلید S بازودیود D1 روشن است. شکل ۲ مدار معادل ایده آل در این بازه زمانی را نشان میدهد. از آنجاکه (iL DT) در آن لحظه غیر صفر است، کلید باز شده و به دلیل اینکه جریان سلف تابع پیوستهای از زمان است، سلف به صورتی که منبع جریان عملکرده و دیود را روشن میکند.
جریان کلید I Sو ولتاژ دیود VD صفر هستند و ولتاژ سلف L به صورت زیر است: [۱۵]
(۹-۲)
جریان سلف ودیوداین گونه به دست میآیند:
(۱۰-۲)
که در آن iL (DT) شرط اولیه سلف در زمان t = D. T میباشد.
جریان ریپل پیک تا پیک سلف L به صورت زیر است:
(۱۱-۲)
توجه داشته باشید که مقدار پیک تاپیک ریپل جریان سلف مستقل از جریان بار IO در حالت CCM است و تنها به ولتاژ DCورودی VI و بنابراین به ضریب وظیفه بستگی دارد. برای یک ولتاژ خروجی ثابت بیشترین مقدار جریان ریپل پیک تا پیک سلف در بیشینه ولتاژ ورودی VI max به دست میآید که به مقدار کمینه ضریب وظیفه «DMin» مرتبط است. این رابطه به صورت زیر است:
(۱۲-۲)
ولتاژ کلید VS و پیک ولتاژ کلید به صورت مقابل است:
(۱۳-۲)
پیک جریانهای دیودوکلید طبق رابطه زیر به دست میآید:
(۱۴-۲)
این مدت زمان درزمانt = T وقتیکه کلیدتوسط راه انداز بسته میشودپایان مییابد. کاهش درانرژی مغناطیسی ذخیره شده درسلف درمدت زمان DT < t ≤T راازرابطه زیرداریم:
(۱۵-۲)
برای کار درحالت پایدار، افزایش درانرژی مغناطیسیباکاهش درانرژی مغناطیسی است.
(۱۶-۲)